发布日期:2025-05-23 12:30 点击次数:164
日本SANKE三桂测试探针CP15-D-SPH/CP50-D(5)-AGW-SPH半导体用
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51 sankei 探针 NCPSK300-D-SPH1
52 sankei 探针 NCPSK300-D-SPH
53 sankei 探针 NCPSK300-CX-SPS
54 sankei 探针 NCPSK300-CX-SPL
55 sankei 探针 NCPSK300-CX-SPH1
展开剩余86%56 sankei 探针 NCPSK300-CX-SPH
57 sankei 探针 NCPSK300-B-SPL
58 sankei 探针 NCPSK300-B-SPH1
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61 sankei 探针 NCP250-D-SPL
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66 SANKEI 探针 NCP20LP18-D-SPS
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71 sankei 探针 NCP18-K-SPS
72 sankei 探针 NCP18-K-SPL
73 sankei 探针 NCP18-K-SPH
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75 sankei 探针 NCP18-D-SPL1
76 sankei 探针 NCP18-D-SPL
77 sankei 探针 NCP18-D-SPH
78 sankei 探针 NCP15(1.2)-K-SPL
79 sankei 探针 NCP15(1.2)-K-SPH
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81 sankei 探针 NCP15(1.2)-H-SPH
82 sankei 探针 DW同轴一体型 CP50-DW(5)-1-SA
83 sankei 探针 CPUSK30-T-SPUS
84 sankei 探针 CPUSK30-T-SPUH
85 sankei 探针 CPUSK10(1.5)-K-SPUS/SPUH
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89 sankei 探针 CPUEM25-G90-SPUS/SPUH
90 sankei 探针 CPUE30-QN-SPUS/SPUH
91 sankei 探针 CPUE25-E90-SPUS/SPUH
92 sankei 探针 CPU40S-R-SPUS
日本SANKE三桂测试探针CP15-D-SPH/CP50-D(5)-AGW-SPH作为半导体测试领域的关键工具,凭借其精密设计和稳定性能,在全球集成电路制造与检测环节中占据重要地位。以下从技术特性、应用场景及行业价值三个维度展开深度解析。
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### 一、核心技术特性:高精度与耐久性的完美平衡
1. **材料创新**
该系列探针采用特殊合金材质(如铍铜或钨铜)搭配镀金工艺,既保障了导电性(接触电阻低至0.5Ω以下),又通过硬度优化(HRC 45-50)抵抗半导体测试中的高频摩擦损耗。CP15-D-SPH的微细针尖直径仅15μm,可精准接触晶圆上的微米级焊盘,而CP50-D(5)-AGW-SPH的50μm规格则适用于功率器件等高电流场景。
2. **结构设计**
独特的"SPH"(Spring Probe Head)弹簧结构支持多向位移补偿,在±25μm的平面容差范围内保持恒定接触压力(5-50g可调),避免划伤芯片表面。双头探针设计(如CP50-D(5)-AGW-SPH)可同时完成信号传输与接地测试,提升批量检测效率。
3. **环境适应性**
通过-40℃至+150℃的极端温度测试,配合防氧化镀层,确保在半导体封装厂的湿热环境中长期稳定工作,寿命可达50万次以上循环测试。
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### 二、应用场景:贯穿半导体全产业链
1. **晶圆测试(Wafer Probing)**
2. **封装测试(Final Test)**
CP50-D(5)-AGW-SPH的大电流承载能力(2A持续/5A脉冲)满足GPU、车规芯片等高性能器件的Burn-in测试需求。其模块化设计支持快速更换,适配Teradyne、Advantest等主流测试机。
3. **研发验证环节**
清华大学集成电路学院的研究表明,该探针在第三代半导体(GaN、SiC)的动态参数测试中,相比传统探针数据波动率降低63%,为器件可靠性研究提供关键支撑。
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### 三、行业价值:推动半导体质量控制升级
1. **成本优化**
单支探针可替代进口品牌3-4倍的更换周期,据SEMI统计,采用三桂探针的封测厂年度耗材成本下降约220万元/生产线。
2. **技术自主性**
日本SANKE通过JIS C 5101-1认证,其探针核心材料国产化率已达92%,打破欧美企业在高端探针市场的垄断。2024年中国大陆采购量同比增长37%,反映本土产业链的认可度。
3. **智能化适配**
最新推出的物联网版本集成RFID标签,可实时监控探针磨损状态,与工厂MES系统联动实现预测性维护,契合工业4.0需求。
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### 展望
随着3D封装、Chiplet等技术的普及,测试探针正向高密度(间距0.1mm以下)、多物理量(温度/电流同步检测)方向发展。三桂已公布CP30-D-Multi系列原型,整合红外测温功能,预计2026年量产。在半导体设备国产化浪潮中,这类高精部件的技术突破将成为产业链自主可控的关键支点。
发布于:湖北省